Industrienachrichten

Die KAUST University entwickelt Nano-AlGaN-Illuminatoren zur Verbesserung der UV-LED-Leistung

2020-12-14


Kürzlich hat das Forschungsteam der King Abdullah Universität für Wissenschaft und Technologie (KAUST) einen Aluminium-Galliumnitrid (AlGaN) -Leuchten im Nanomaßstab entwickelt. Forscher haben nanoskalige GRINSCH-Dioden mit einer GRINSCH-Vorrichtung (Graded Index Distribution Structure) hergestellt. Forscher erwarten, in Zukunft Hochleistungs-UV-LED-Geräte wie Laser, Lichtsensoren und Amplitudenmodulation einsetzen zu können. Und integrierte optische Geräte.


Bestehende AlGaN-Licht emittierende Geräte gelten als UV-Lichtquellen, die vorhandene UV-Gaslaser und UV-Lampen mit giftigen Substanzen ersetzen. Aufgrund der UV-Laserdiode in der Vorrichtung muss die Spannung zum Betrieb mindestens 25 Volt betragen, und der Wirkungsgrad der Lochinjektionsschicht ist schlecht, was zu einem hohen Serienwiderstand führt, was zu einer begrenzten Leistung führt. Der Grund dafür liegt in der P-Halbleiterbeschichtung der AlGaN-Aluminiumschicht und dem Fehlen eines effektiven Wärmeableitungsrohrs.


Im Vergleich zur ursprünglichen epitaktischen AlGaN-Filmschicht bildet das AlGaN in Nanogröße aufgrund eines hohen Verhältnisses von Oberfläche zu Volumen eine effektive Spannungsrelaxation und kann direkt auf ein Substrat mit einem Metall ausgedehnt werden. Metall und Metallsubstrate, die mit Tantal oder Saphir bedeckt sind, sorgen für eine bessere Wärmeableitung im Hochstrombetrieb. Da der P-Halbleiter in Nanogröße aufgrund der Zugabe von Magnesium einen geringen Aktivierungsenergiebedarf aufweist, ist der Widerstand außerdem relativ gering. Das Forscherteam bestätigte, dass die GRINSCH-Diode eine hervorragende elektronische und optische Leistung aufweist und die erforderliche Spannung und der erforderliche Serienwiderstand niedriger sind als die ursprüngliche Diode.



+86-75582592752
[email protected]